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venerdì 25 Luglio 2008 - 16 Commenti

Pochi giorni fa’ si è sparsa la voce di uno studio che potrebbe rivoluzionare l’intero settore IT e non solo. Verso la fine di Maggio del corrente anno infatti è stata pubblicata una press release dell’Istituto Nazionale di Scienza e Tecnologia Industriali Avanzate (altrimenti detto AIST) in cui si annunciava la scoperta di una tecnica che rende possibile l’ingegnerizzazione di memorie Flash utilizzabili fino a 10000 volte più delle attuali.
La chiave di questo “miracolo” starebbe nell’utilizzo di un composto ferro-elettrico (l’acronimo tecnico è FeFETs, ovvero ferroelectric gate field-effect transistors), di cui potete vedere qui in basso un’immagine al microscopio